PLASMA測試技術(shù)分析
來源：龍人計算機(jī)研究所 作者：站長 時間：2009-09-03 17:43:51
電漿蝕刻為優(yōu)化鉆孔質(zhì)量之重要流程，為了解電漿蝕刻去除孔壁殘膠能力，現(xiàn)進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：
實(shí)驗(yàn)計劃：PLASMA實(shí)驗(yàn)是針對多層板清潔孔壁的重要流程，其中重要的影響因素有：
a.溫度 b.時間c.氣體流量d.射頻源功率四個因素
a.對于溫度：生技部門有測試過條件，溫度達(dá)到225F時，能最好的溶膠，所以溫度就視為不變因素。
b.時間是對整個PLASMA效果影響最大的因素，所以將其視為主要變因來進(jìn)行試驗(yàn)，找出最佳作業(yè)條件。
c. 射頻源功率(RF POWER)一般為2000，對試驗(yàn)效果的影響不是很大，所以也視不變因素。
d. 氣體流量：主要?dú)怏w有三種CF4，O2和AR，常用的是CF4和O2，其中的AR主要是通過物理性的攻擊來清除表面被O2氧化產(chǎn)生的氧化層。
實(shí)驗(yàn)計劃：PLASMA實(shí)驗(yàn)是針對多層板清潔孔壁的重要流程，其中重要的影響因素有：
a.溫度 b.時間c.氣體流量d.射頻源功率四個因素
a.對于溫度：生技部門有測試過條件，溫度達(dá)到225F時，能最好的溶膠，所以溫度就視為不變因素。
b.時間是對整個PLASMA效果影響最大的因素，所以將其視為主要變因來進(jìn)行試驗(yàn)，找出最佳作業(yè)條件。
c. 射頻源功率(RF POWER)一般為2000，對試驗(yàn)效果的影響不是很大，所以也視不變因素。
d. 氣體流量：主要?dú)怏w有三種CF4，O2和AR，常用的是CF4和O2，其中的AR主要是通過物理性的攻擊來清除表面被O2氧化產(chǎn)生的氧化層。
