場效應(yīng)管測試儀pcb抄板與芯片解密案例
來源:龍人計算機研究所 作者:站長 時間:2010-01-07 11:15:50
場效應(yīng)管測試儀是龍人在儀器儀表設(shè)備反向解析、電路板抄板、電路板克隆、樣機仿制克隆、樣機制作、樣機調(diào)試等反向研發(fā)領(lǐng)域取得的重要技術(shù)成果。
本儀器可測J型和MOS型小功率(300mW以下)場效應(yīng)管(含對管)的三個常用參數(shù):低頻正向跨導(dǎo)Gm,飽和漏電流Idss,夾斷電壓Vp或開啟電壓。
1.工作特性
1.1額定使用條件及規(guī)格
1.1.1環(huán)境溫度:0~40℃
1.1.2環(huán)境濕度:40℃ 20~90%RH
1.1.3大氣壓強:86~106KPa
1.1.4供電電壓:220V±10% 50Hz±5%
1.1.5外電磁干擾:應(yīng)避免
1.1.6陽光照射:應(yīng)避免直射
1.1.7通風條件:良好
1.1.8工作位置:水平或前仰15°
1.1.9外形尺寸:340×133×300(㎜)
1.1.10重量:≈5㎏
1.1.11工作時間:連續(xù)工作8小時
1.1.12預(yù)熱時間:15分鐘
1.1.13消耗功率:不大于12W
1.2參數(shù)測試范圍
1.2.1漏源電壓VDS:±(1.5~15V)
誤差:±(2%VX+1%VM)
VX--電壓設(shè)定值(或讀數(shù))
VM--電壓滿度值
1.2.2飽和漏源電流IDSS:0~20~100mA
誤差:±(2%IX+1%IM)
1.2.3夾斷電壓VP或開啟電壓VT:0~10V
誤差:±(2%VX+1%VM)
測試電流IDS為:1,10,50
1.2.4低頻正向跨導(dǎo)gm:1~20mS(擴展后為40mS)
誤差:±(3%gmx+1%gmM)
測試條件VDS:1.5~15V
IDS:0~10mA
f:1000Hz 10mV
龍人已通過反向工程掌握該產(chǎn)品的技術(shù)資料,并可提供該產(chǎn)品的的PCB設(shè)計、PCB抄板、芯片解密、樣機制作、樣機調(diào)試等方面的服務(wù),滿足客戶的需求。同時,我們會根據(jù)市場需求的變化和產(chǎn)品的更新?lián)Q代,提升該產(chǎn)品的功能升級和擴展,為廣大客戶提供定制化服務(wù),我們期待與廣大客戶真誠合作,詳情請咨詢龍人龍人計算機系統(tǒng)工程有限公司,電話:0755-83676393,0755-83662911。